等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。与常压化学气相沉积(APCVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)利用热能来激活和维持化学反应相比，PECVD 技术是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。
等离子体在化学气相沉积中具有如下的作用：
(1)、将反应物中的气体分子激活成活性离子，从而降低反应需要的温度；
(2)、加速反应物在表面的扩散作用(表面迁移率)，提高成膜的速度；
(3)、对于基体及膜层表面具有溅射清洗作用，溅射掉那些结合得不牢的粒子，从而加强了形成的膜层和基体的结合力；
(4)、由于反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞、散射作用，使形成的薄膜厚度能够均匀。
PECVD一般是在真空腔室中进行，一片或多片硅片（或蓝宝石、碳化硅等）被放置在下面的载台上，上电极施加RF功率，下电极接地或施加偏置电压。
纳米镀膜技术是在真空环境下，以适当的真空度、温度、电场和磁场等各种条件催化下，将单种或多种工艺气体部分分解成自由基和原子并带电，然后聚合在目标材料上，从而在材料上生长出一层或者多层纳米级超薄聚合物的技术，该技术是一种低温、干法、环保、高效、低成本的技术。
我们知道，在真空环境下气体分子密度比较小，在成膜时分子沉积后排列比较致密、厚度薄、对目标材料的渗透性好。在真空、电场、磁场、温度等环境下，工艺气体材料会离子化，产生定向运动，当我们把材料置于离子运动的路径上，并在材料周围设定聚合条件，气体离子就会沉积在材料上，并且沉积的速度快。根据不同功能的膜层需要，可以通过调整工艺气体材料、温度、电场、磁场等条件，形成不同功能的膜，镀膜本身是一种无色透明的纳米镀膜，特点是厚度小、均匀、附着性好、致密无针孔、环保、结构稳定。
影响PECVD的工艺因素有以下几种：
发生器故障，无法产生等离子辉光；
辉光不稳；
成膜质量差；
淀积速率低。
PECVD工艺是一门复杂的工艺，要保证淀积薄膜的质量，除了要保证设备的稳定性外，还必须掌握和精通其工艺原理及影响薄膜质量的各种因素，以便在出现故障时，能迅速分析出导致故障的原因。另外，对设备的日常维护和保养也非常重要。
