化学气相沉积，又称CVD（Chemical Vapor Deposition）。这是一种以Gas为原材料，在空间进行气相化学反应，在样品表面进行固态薄膜沉积的工艺技术。
PECVD工艺的影响因素如下：
极板间距和反应室尺寸：极板间距较大时，会加重电场的边缘效应，影响淀积的均匀性。反应腔体的尺寸可以增加生产率，但是也会对厚度的均匀性产生影响。故而应该选择合适的尺寸，并不是尺寸越大越好。
发生器的工作频率：射频PECVD通常采用13.56MHz频段射频电源，频率高，等离子体中离子的轰击作用强，淀积的薄膜更加致密。高频淀积的薄膜，其均匀性明显好于低频，这时因为当射频电源频率较低时，靠近极板边缘的电场较弱，其淀积速度会低于极板中心区域，而频率高时则边缘和中心区域的差别会变小。
发生器的功率：射频的功率越大离子的轰击能量就越大，有利于淀积膜质量的改善。因为功率的增加会增强气体中自由基的浓度，使淀积速率随功率直线上升，当功率增加到一定程度，反应气体完全电离，自由基达到饱和，淀积速率则趋于稳定。
腔体压力：形成等离子体时，气体压力过大，单位内的反应气体增加，因此速率增大，但同时气压过高，平均自由程减少，不利于淀积膜对台阶的覆盖。气压太低会影响薄膜的淀积机理，导致薄膜的致密度下降，容易形成针状态缺陷；气压过高时，等离子体的聚合反应明显增强，导致生长网络规则度下降，缺陷也会增加。
样品温度：样品温度对薄膜质量的影响主要在于局域态密度、电子迁移率以及膜的光学性能，样品温度的提高有利于薄膜表面悬挂键的补偿，使薄膜的缺陷密度下降。样品温度对淀积速率的影响小，但对薄膜的质量影响很大。温度越高，淀积膜的致密性越大，高温增强了表面反应，改善了膜的成分。
PECVD的工艺优点：
1、均匀性和重复性好，可大面积成膜；
2、可在较低温度下成膜；
3、台阶覆盖优良；
4、薄膜成分和厚度易于控制；
5、适用范围广，设备简单，易于产业化。
PECVD工艺注意要点：
1、要求有较高的初始真空；
2、防止交叉污染；
3、原料气体具有腐蚀性、可燃性、爆炸性、易燃性和毒性，应采取必要的防护措施。
旭阿科技专业提供PECVD工艺支持以及设备销售服务，热线：021-31598236。
